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一体化半导体藕合激光电源 半导体解决方案

时间:2020-06-03    来源:仪多多仪器网    作者:仪多多商城     

武汉泰伦特世纪科技有限公司设计的一体化半导体藕合激光电源,是集半导体激光驱动电源、TEC温度控制电源、光功率探测模块于一体的多功能电源。半导体激光驱动电源:

引进目前国际先进的半导体激光电源技术,选用优质元器件生产。具有输出噪声小、恒流特性好、电流稳定、抗干扰能力强等优点,并具有防过冲、反冲和反浪涌的稳压、恒流双重保护电路,保证激光器的稳定工作和使用寿命。

特点:

Ø 半导体激光输电电压0~3V自适应(输出电压可定制)

Ø 输出最大电流200mA/500mA/1000mA/2000mA

Ø 高稳定、低噪声,控制精度为±50μA,电流纹波<5 μA。 

Ø PD电流监测功能

Ø 设有缓上电保护、软启动保护、欠电压和失电保护、过流保护、过热保护、外控保护及故障状态锁定等多重保护功能,

Ø 内控、外控模式可选

Ø 显示参数:激光工作电流、激光背光电流、激光工作效率

TEC温度控制电源:

采用现代较新电力电子器件和高速数字微处理器程序控制技术,以及PWM调制、双向电源、PID调节技术,具有优良的电压、电流输出特性,开关机时无过冲、反冲、浪涌现象,并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路,以及RS232远程控制接口。

特点:

Ø 智能无级调温,双向温度控制

Ø 温度控制精度为±0.1度(TEC-5V/3A)

Ø 工作温度可任意设置(常规在5℃~45℃之间选择)

Ø 工作温度超过上限、下限(软件设定)时报警

Ø 工作电流电压超上限、下限(软件设定)时报警

Ø 用户可以修改温度PID反馈参数

Ø 恒温模式:双向冷热恒温

Ø 具有过流、过压、过热等保护

Ø 具有硬件过温、欠温等保护电路

Ø 显示参数:TEC工作电流、TEC工作电压、设定温度、控制温度

 P、I、D参数等

光功率探测模块:

采用了精确的软件校准技术,可测量不同波长的光功率,具有好的性价比。具有超高灵敏度,超大动态范围,配有大面积PIN管,可靠性是光电器件、光无源器件、光纤、光缆、光纤通信设备的测量,以及光纤通信系统工程建设和维护的必备测量工具。

特点:

Ø 探测器安装前面板处,测试更加便捷

Ø 高速、高精度测量

Ø 8段的线性化处理提高了检测的准确性和可靠性

Ø 大动态范围 

Ø 超高灵敏度

Ø 多量程选择

Ø 后面板同步线性电压输出接口,便于测试分析

Ø 显示参数:光功率

半导体激光器的特性

  半导体激光器能够给科研或者集成用户提供性能出色的激光器产品,用于制造zui为比较好的激光器系统。半导体激光器具有高效的光电转换效率,且通过光束整形可直接应用于激光加工等领域,而光纤激光器由于其优秀的光束质量早已已成为国内外研究的热门。但半导体激光器将来有没有可能直接获得高光束质量的激光,从而“打败”光纤激光器呢?在能源日益紧张的情况下,半导体激光器的高转换效率的特性能否变得更受关注呢?

  半导体激光器其特点如下:

  1、半导体激光器独特设计,使用多个高功率单管激光器串联来代替bar条,消除了smile效应:

  2、全面检验,每一个单管激光器都经过全面的检验,并有单独的测试报告;

  3、老化测试,严格的老化测试;

  4、严格挑选,每一个管子都是被单独挑选出来的;

  5、串联连接,串联方式连接,单个管子的损坏不影响整体性能;

  6、电源设计方便,使用高电压低电流电源,容易设计,价格较低;

  7、钝化处理,特殊的钝化处理工艺,极大的增长使用寿命;

  8、低功耗,没有功率衰减,半导体激光器光电转化效率高,功耗低;

  9、半导体激光器易冷却,不需要微通道冷却;

  10、光纤耦合,便于光纤耦合输出。

标签: 半导体激光器
半导体激光器 半导体激光器的特性_半导体激光器

半导体器件的开关特性

  MOS的基本元件是MOS管。MOS管是一种电压控制器件,它的3个电极分别称为栅极(G)、漏极(D)和源极(S),由栅极电压控制漏源电流。MOS管根据结构的不同可分为P型沟道MOS管和N型沟道MOS管两种,每种又可按其工作特性进一步分为增强型和耗尽型两类。

  1、静态特性

  MOS管作为开关应用时,同样是交替工作在截止与饱和两种工作状态。

  N沟道增强型MOS管的开关特性为:当栅源电压vGS<开启电压VTN时,管子工作在截止状态,类似于开关断开;当栅源电压vGS>开启电压VTN(大约在1~2V之间),且漏源电压加大到一定程度,满足vDS≥vGS-VTN时,管子工作在饱和状态,类似于开关接通。

  P沟道增强型MOS管与N型沟道增强型MOS管所不同的是,其工作电压vGS和vDS均为负电压,开启电压VTP一般大约在-2.5~-1.0V之间。

  2、动态特性

  MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程,但其动态特性主要取决于与电路有关的充、放电所需的时间,而MOS管内部电荷“建立”和“消散”的时间很短。

标签: 半导体器件
半导体器件 半导体器件的开关特性_半导体器件

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