数字传感器的标定过程以及方法介绍：
1)如何选择适合的数字显示称重传感器数字传感一般根据以下几个指标：1)数字传感器的线制：推荐选择六线制。
2)数字传感器的zui大输出码：宜大不宜小。一般选择在50万码以上，推荐选择100万码或以上。数字传感器码值的大小决定了其组成系统所能达到的精度以及各项计量指标，码值越大越容易实现高准确度的调校和测量，这一点与要求模拟仪表的AD码越大越好的道理一样。现在市面上以3万到10万码的数字传感器居多，现场应用的结果均表现出计量精度、角差等不理想。
3)数字传感器的功耗：越小越好。功耗决定了数字传感器的工作稳定性以及总线传输距离。功耗小可使信号衰减小，供传感器的电源损耗低，有利于传感器稳定工作，长距离信号传输。现在市面常见的数字传感器功耗一般都在36mA以上(包括托利多、HBM、苏州仅一、柯力以及博达等)，采用耀华DS-A1数字化模块的数字传感器功耗在25～26mA。
4)端口防护能力：应选择有防护、防护功能多、防护功能可靠的数字传感器。数字传感器由于A/D转换功能和通讯功能等电子电路模块在模拟传感器中的植入，传感器接口的电源有了严格的极性要求、更高的信号端口抗静电、防浪涌等要求。所以必须选择有端口防护和防护功能多的数字传感器。建议至少应有电源反接保护、端口抗静电保护。
5)数字模块安装位置选择：宜内置(嵌入式)不宜外置(背包式)。数字模块内置可有效避免模拟信号受干扰以及环境温度等因素的影响，杜绝硬件作弊，而外置式由于仍旧存在较长的模拟信号传输线路，易受干扰和环境因素影响，防硬件作弊能力差。称重模块的标定过程及注意事项
6)传感器参数安全可靠性：数字传感器内存储有诸如地址编号、传感器校准参数、修正参数、数据格式等诸多参数，一旦丢失或遭到破坏，数字传感器就会工作不正常甚至“瘫痪”。
半导体单晶硅材料在受到外力作用，产生肉眼根本察觉不到的极微小应变时，其原子结构内部的电子能级状态发生变化，从而导致其电阻率剧烈的变化，由其材料制成的电阻也就出现极大变化，这种物理效应叫压阻效应。人类是在本世纪五十年代才开始发现和研究这一效应的应用价值的。利用压阻效应原理，采用三维集成电路工艺技术及一些专用特殊工艺，在单晶硅片上的特定晶向，制成应变电阻构成的惠斯顿检测电桥，并同时利用硅的弹性力学特性，在同一硅片上进行特殊的机械加工，集应力敏感与力电转换检测于一体的这种力学量传感器，称为固态压阻传感器。以气、液体压强为检测对象的则称为固态压阻压力传感器，它诞生于六十年代末期。显然，它较之传统的膜合电位计式，力平衡式，变电感式，变电容式，金属应变片式及半导体应变片式传感器技术上先进得多，目前仍是压力测量领域较新一代传感器。由于各自的特点及局限性，它虽然不能全面取代上述各种力学量传感器，但是，从八十年代中期以后，在美，日，欧传感器市场上，它已是压力传感器中执牛耳的品种，并与压电式几乎平分了加速度传感器的国际市场。目前，在以大规模集成电路技术和计算机软件技术介入为特色的智能传感器技术中，由于它能做成单片式多功能复合敏感元件来构成智能传感器的基础，因此，它仍然较受瞩目。
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