本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
本文件代替GB/T24581-2009《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量的测试方法》，与GB/T24581-2009相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：
a）删除了“目的”（见2009年版的第1章）；
b）更改了硼（B）、磷（P）、砷（As）、铝（A1）、锑（Sb）、镓（Ga）的测定范围，并增加了铟（In）含量的测定（见第1章，2009年版的第2章）；
c）更改了术语和定义（见第3章，2009年版的第5章）；
d）增加了杂质含量小于5.0×25275px-·的样品的测量条件（见5.6）；
e）增加了用次强吸收谱带P（6875px-1）来计算磷（P）元素的含量（见5.8）；
f）增加了掺杂硅单晶对测量的影响（见5.9）；
g）更改了多晶转变为单晶的方法（见5.12，2009年版的8.1）；
h）更改了傅立叶变换红外光谱仪的要求（见7.4，2009年版的7.4）；
i）增加了千分尺及其精度要求（见7.5）；
j）更改了非零响应值谱线范围（见9.2，2009年版的10.2）；
k）更改了背景光谱的扫描次数（见9.7，2009年版的11.5）；
1）更改了样品的扫描次数（见9.10，2009年版的11.8）；
m）表1中增加了P（6875px-1）对应的峰位置、基线和积分范围及校准因子（见10.1）；
n）更改了杂质含量的单位，并对计算公式进行了相应的修约（见10.4，2009年版的13.1、13.2）；
0）更改了测量结果的精密度（见第11章，2009年版的第15章）；
p）更改了试验报告的内容（见第12章，2009年版的第14章）；
q）删除了偏差、关键词（见2009年版的第16章、17章）。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。
本文件起草单位：乐山市产品质量监督检验所、青海芯测科技有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、亚洲硅业（青海）股份有限公司、新特能源股份有限公司、有研半导体硅材料股份公司、四川永祥股份有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、江苏鑫华半导体材料科技有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、新疆协鑫新能源材料科技有限公司、国标（北京）检验认证有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、宜昌南玻硅材料有限公司、江苏秦烯新材料有限公司、义乌力迈新材料有限公司。
本文件主要起草人：梁洪、赵晓斌、万涛、薛心禄、魏东亮、王彬、邱艳梅、杨素心、李素青、李朋飞、赵培芝、王永涛、魏强、楚东旭、周延江、刘文明、刘红、何建军、皮坤林。
本文件于2009年首次发布，本次为第一次修订。
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