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【半导体】半导体三个常见问题

时间:2020-06-10    来源:仪多多仪器网    作者:仪多多商城     
1.半导体激光器在激光器领域中具有重要的地位    半导体激光器在激光器领域中具有重要的地位
  半导体激光器是20世纪60年代发展起来的一种激光器,以半导体材料作为工作物质。从20世纪70年代末开始,半导体激光器明显向着两个方向发展,一类是以传递信息为目的的信息型激光器,另一类是以直接使用输出激光的光功率为目的的功率型激光器。
  半导体激光器由光纤耦合半导体激光器模块、合束器件、激光传能光缆、电源系统、控制系统及机械结构等构成,在电源系统和控制系统的驱动和监控下实现激光输出。半导体激光器工作原理是采用注入电流的激励方式,将注入电流的电能通过半导体材料实现电光转换,输出激光。半导体激光器可作为光纤激光器、固体激光器的泵浦源,也可用于制作直接半导体激光器,作为光源应用到材料加工、激光医疗、激光雷达等领域。
  随着半导体激光器技术的快速发展和突破,半导体激光器产品质量、波长范围和输出功率正在迅速提高,产品种类日益丰富,应用到激光加工、3D打印、激光雷达、生命科学与健康和红外照明与显示等的许多方面。半导体激光器具有体积小、重量轻、电光转换效率高、性能稳定、可靠性高和寿命长等优点,已经显露出其在激光器领域中的主导地位,成为光电行业中具有发展前途的领域之一。
  半导体激光器是成熟较早、进展较快的一类激光器,由于它的波长范围宽,制作简单、成本低、易于大量生产,并且由于体积小、重量轻、寿命长,因此,品种发展快,应用范围广,目前已超过300种。激光应用需求的不断提高,对半导体激光器的要求也越来越高,主要体现在以下几个方面:
  提高输出功率,开发高功率的二维或者三维列阵,以满足工业加工等领域对功率的需求;
  提高电光转换效率,实现激光系统的小型化和化,较少散热压力,降低成本;
  提高光束质量;
  提高可靠性,即在高峰值功率和极其恶劣的环境中也能自由使用,如满足空间航天飞行器在辐射大、温差大环境中使用。
  半导体激光器的应用范围覆盖了整个光电子学领域,已成为当今光电子科学的核心技术。半导体激光器在激光测距、激光雷达、激光通信、激光模拟武器、激光警戒、激光制导跟踪、引燃引爆、自动控制、检测仪器等方面获得了广泛的应用,形成了广阔的市场。


2.高精度半导体恒温箱的保养



    高精度半导体恒温箱是半导体行业常用的设备之一,作为比较常用的设备,其保养也是相当重要,那么高精度半导体恒温箱的保养有哪些要点呢?怎么进行保养比较好呢?

 


    高精度半导体恒温箱由蒸发器出来的状态为气体的冷媒;经收缩机绝热收缩后期,变成高温高压状态,被收缩后的气体冷媒,在冷凝器中,等压冷却冷凝,经冷凝后转变成液态冷媒,再经节流阀膨胀到低压,变成气液混合物。


    此中低温低压下的液态冷媒,在蒸发器中摄取被冷物资的热量,从头变成气态冷媒,气态冷媒经管道从头进来收缩机,开头新的轮回,这便是高精度半导体恒温箱轮回的四个过程。


    密封部位调养,鉴于装配式高精度半导体恒温箱是由若干块保温板拼而成,因而板之间存在必需的间隙,施工中这类间隙会用密封胶密封,为了避免空气和水份进来,因而在利用中对一些密封无效的部位实时修理。


    地面调养,通常小型装配式高精度半导体恒温箱的地面利用保温板,利用高精度半导体恒温箱时应为了避免地面存有大量的冰和水,假如有冰,处理时切不可利用硬物敲打,损害地面。


    装配完结或长久停用后再次利用,降温的速率要适宜:每日操纵在8-10℃为宜,在0℃时应保留一段时间。


    库板调养,留意利用中应留意硬物对库体的碰撞和刮划,鉴于不妨变成库板的凹下和锈蚀,严重的会使库体片面保温功能下降。


    高精度半导体恒温箱的保养是离不开我们操作人员的细心操作,所以,我们在日常操作中也要善待我们的设备,不要太过粗暴。






3.半导体器件的开关特性

半导体器件的开关特性

  MOS的基本元件是MOS管。MOS管是一种电压控制器件,它的3个电极分别称为栅极(G)、漏极(D)和源极(S),由栅极电压控制漏源电流。MOS管根据结构的不同可分为P型沟道MOS管和N型沟道MOS管两种,每种又可按其工作特性进一步分为增强型和耗尽型两类。

  1、静态特性

  MOS管作为开关应用时,同样是交替工作在截止与饱和两种工作状态。

  N沟道增强型MOS管的开关特性为:当栅源电压vGS<开启电压VTN时,管子工作在截止状态,类似于开关断开;当栅源电压vGS>开启电压VTN(大约在1~2V之间),且漏源电压加大到一定程度,满足vDS≥vGS-VTN时,管子工作在饱和状态,类似于开关接通。

  P沟道增强型MOS管与N型沟道增强型MOS管所不同的是,其工作电压vGS和vDS均为负电压,开启电压VTP一般大约在-2.5~-1.0V之间。

  2、动态特性

  MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程,但其动态特性主要取决于与电路有关的充、放电所需的时间,而MOS管内部电荷“建立”和“消散”的时间很短。

标签: 半导体器件
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