MEMS 可调光衰减器(VOA)使用微机械 MEMS 芯片驱 动,利用静电驱动反射镜旋转 ,实现输入光连续的可调衰减,有 0V 亮态和暗态两种类型,其性能特点和技术参数具体如下,可供参考!
一、特 征
低插入损耗
高衰减量,连续可调
重复性高、寿命长
尺寸小
符合 GR- 1209 与 GR- 1221 标准
二、应 用
光放大器 (EDFA)中的增益控制
波分复用器(WDM)和配置网络中的功率控制
光网络保护
三、技术参数
参数 | 单位 | 单模 | 多模 |
衰减类型 | nm | 0V亮态或暗态 | |
波长 | nm | o/c/L波段或1250- | 850±30nm1300+30nm |
衰减范围 | dB | ≥40/45 | ≥30 |
插入损耗(IL) | dB | ≤0.6 | ≤0.6 |
回波损耗 | dB | ≥50 | ≥30 |
重复性 | dB | ≤0.03dB@ATT≤20dB | |
PDL 1 | dB | ≤0.2@ATT≤10dB | |
PDL 2 | dB | ≤0.5@ATT≤20dB | |
工作温度 | ℃ | -5~70 | |
存储温度 | ℃ | -40~85 | |
开关速度 | ms | ≤3 | |
寿命 | cycle | ≥1x10^9 | |
最大光功率 | mW | ≤500 | |
驱动电压 | IV | 0~7V | 0~9V |
光纤和套管类型 | 按客户要求制作 | ||
光纤长度 | 按客户要求制作 | ||
连接头类型 | 按客户要求制作 |
下一篇:冷热冲击试验箱技术参数